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DM-QR2被測(四端)電阻箱技術(shù)指標(biāo)
更新時(shí)間:2020-02-19   點(diǎn)擊次數(shù):813次

DM-QR2被測(四端)電阻箱技術(shù)指標(biāo)

 

大學(xué)實(shí)驗(yàn)室自備試樣有種種困難,F(xiàn)M-QR2 被測元件箱為此提供人性化幫助。

 DM-QR2 被測元件箱性能指標(biāo):

型號(hào)

屬性

明檔/肓測檔

范圍

賦值方式

其它

 DM-QR1

 二端中阻

 16;5

 20Ω~5.6MΩ

 國標(biāo)E6

 圖前左1

 DM-QR2

 四端低阻

 9;3

 1Ω~10Ω

 國標(biāo)E6

 圖前左2

 DM-QL2

 空心自感

 8;3

 10~470mH

 國標(biāo)E6

 圖后左1(有變Q開關(guān))

 DM-QC2

 薄膜電容

 8;3

 0.0047~2.2μF

 國標(biāo)E6

 圖后右1(有變tgδ開關(guān))

 尺度:Φ15×h16cm2

 重量:0.5-1kg

 

 

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